推出分辨率达1.5μm的数字曝光设备“DSP-110”

面向半导体先进封装（后道工序）的曝光设备，生产效率（吞吐量）提高约40%

株式会社尼康（Nikon）将于2027年4月推出面向半导体先进封装（Advanced Packaging）市场的数字光刻机“DSP-110”。该设备可实现1.5μm^※1（L/S^※2）的分辨率，产能达到72 panels/hour^※3。相比可实现1.0μm（L/S）分辨率的“DSP-100” ^※4，新产品“DSP-110”在兼容大型基板的同时，吞吐量提升了约40%。

  ※1 1μm（微米）表示百万分之一米（即千分之一毫米）。

  ※2 Line and Space（L/S）的简称，指线路（导线）的宽度以及相邻线路之间的间距。

  ※3 以510×515 mm基板为条件。

  ※4 2025年7月16日发布的新闻稿：https://www.jp.nikon.com/company/news/2025/0716_01.html

开发背景

在半导体先进封装市场中，随着大型中介层（Interposer）和多层 FC-BGA 基板^※5对高密度布线需求的不断扩大，RDL（重布线层）光刻技术的重要性日益提升。尼康一直致力于开发兼具高分辨率和高生产效率、且无需光掩模（Photomask）的数字光刻机。继分辨率达到 1.0µm（L/S）的“DSP-100”之后，此次又推出了分辨率为 1.5µm（L/S）的“DSP-110”。“DSP-110”吞吐量的提升，是通过在“DSP-100”基础上重新设计光学系统实现的。这项技术成果得益于尼康独有的优势，即能够自主完成光学系统的设计与制造。今后，尼康将持续关注先进封装领域的技术发展趋势，并通过提升分辨率、扩展可对应基板尺寸等方式，满足客户多样化的需求。

※5 FC-BGA（Flip Chip Ball Grid Array）基板：一种用于高性能半导体封装的倒装芯片球栅阵列封装基板，广泛应用于 CPU、GPU、AI 芯片等高端半导体产品。

产品规格

产品名称	数字光刻机 DSP-110
分辨率	1.5 μm L/S
光源	i线相当
套刻精度（Overlay）	≦ ± 0.3 μm
对应基板尺寸	方形基板：310 x 310 mm、510 x 515 mm、600 x 600 mm、730 x 920 mm等 晶圆（Wafer）：300 mm等
吞吐量	72 panels / hour　（以 510 × 515 mm 基板为例）
发售时间	2027年4月

主要特点

1. 吞吐量提升约40%

通过针对 1.5μm（L/S） 分辨率重新设计光学系统，DSP-110 的吞吐量较 DSP-100 提升约 40%。在保持 ≤ ±0.3μm 高套刻精度（Overlay）的同时，实现了 72 Panels/Hour 的高生产能力。这将有助于提升客户的生产效率，并降低总体生产成本。

2. 扩大焦深裕量（Focus Margin）※6

通过重新设计光学系统，DSP-110 的焦深裕量较 DSP-100 进一步扩大。即使面对不同条件的基板，也能够实现稳定的图形曝光与成像，从而提高良率并增强量产过程的稳定性。

※6 焦深裕量（Focus Margin）：指即使焦点发生偏移，仍能保持设计线路尺寸和图形精度的允许范围。

3. 通过更换光学系统支持更高分辨率升级

随着先进封装技术不断发展，市场预计对 RDL（重布线层） 光刻机的分辨率要求将进一步提高。

DSP-110 采用可升级架构，通过更换光学系统，可改造升级为 1.0μm（L/S） 分辨率机型，能够灵活应对客户未来工艺节点升级和先进封装技术演进的需求，为客户的长期投资提供保障。