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光刻机
确认详细内容
| 分辨率 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 曝光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 缩小倍率 | 1 : 4 |
| 最大曝光范围 | 26 mm x 33 mm |
| 重合精度 | MMO : ≦ 2.5 nm |
| 产出 | ≧ 280 wafers / hour (96 shots) |
确认详细内容
| 分辨率 | ≦ 65 nm |
|---|---|
| NA | 0.92 |
| 曝光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 缩小倍率 | 1 : 4 |
| 最大曝光范围 | 26 mm x 33 mm |
| 重合精度 | MMO : ≦ 5 nm |
| 产出 | ≧ 230 wafers / hour (96 shots) ≧ 250 wafers/hour (96 shots)※1 |
※1 option选项
确认详细内容
| 分辨率 | ≦ 110 nm |
|---|---|
| NA | 0.82 |
| 曝光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 缩小倍率 | 1 : 4 |
| 最大曝光范围 | 26 mm x 33 mm |
| 重合精度 | MMO : ≦ 6 nm |
| 产出 | ≧ 230 wafers / hour (96 shots) |
确认详细内容
| 分辨率 | ≦ 280 nm |
|---|---|
| NA | 0.62 |
| 曝光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 缩小倍率 | 1 : 4 |
| 最大曝光范围 | 26 mm x 33 mm |
| 重合精度 | SMO : ≦ 25 nm |
| 产出 | ≧ 200 wafers / hour （300 mm wafer, 76 shots）, 也可用于 200 mm wafer |
确认详细内容
| 分辨率 | ≦ 350 nm※1 |
|---|---|
| NA | 0.45 |
| 曝光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 缩小倍率 | 1 : 5 |
| 最大曝光范围 | 22 mm x 22 mm |
| 重合精度 | SMO : ≦ 70 nm※1 |
※1 option选项
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对准站
确认详细内容
| 主要特点 |
|---|
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检测・检查装置
确认详细内容
| 主要特点 |
|---|
|
确认详细内容
| 主要特点 |
|---|
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X射线/CT系统
确认详细内容
| 最大能量 | 225 kV / 320 kV |
|---|---|
| X射线源 最小焦点 | 1 μm / 3 μm |
| 最大CT扫描尺寸 | 280 mm / 300 mm |
| 探测器 最大像素矩阵 | 2880 x 2880 / 2048 x 2048 |
| 最大帧速率 | 30 fps |
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影像测量仪
确认详细内容
| 最大XYZ量程 | 650 x 550 x 200 mm |
|---|---|
| 最小读数 | 0.01 μm |
| 最大允许误差 | EUX, MPE EUY, MPE 1.2 + 4 L / 1000 µm |
| 最大允许误差 | EUXY, MPE 2.0 + 4 L / 1000 µm |
| 最大允许误差 | EUZ, MPE 1.2 + 5 L / 1000 µm |
| 最大载重量 | 50 kg（精度保证: 30 kg） |
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检测・检查装置
确认详细内容
| 主要特点 |
|---|
|
图像传感器检查用照明装置 N-SIS9/8
PDF: 1MB
采用了尼康独有技术的图像传感器检查用照明装置。以高照度对宽视场进行均匀照明，并可高速实现照度及RGB等的分光设定的图像传感器检查用照明装置
确认详细内容
| N-SIS9 | N-SIS8 | |
| 类型 | 测试机头内置型 | 探针搭载型 |
| 视场尺寸 | 80 mm × 100 mm | 120 mm × 120 mm |
| 照明一致性 | ± 2.0 %以下 | ± 1.5 %以下 |
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