ArF液浸式扫描光刻机「NSR-S625E」发售

株式会社尼康（社长：Toshikazu Umatate，东京都港区）推出了ArF液浸式扫描光刻机NSR-S625E。 由于提高了产量和设备运行的稳定性，NSR-S625E实现了尼康半导体光刻设备历史上最高的生产效率，可为各种半导体器件的高效生产做出贡献。

发售概况

商品名	ArF液浸式扫描光刻机NSR-S625E
发售时间	2024年2月

开发背景

随着应用的多样化和半导体需求的增多，客户对半导体曝光系统的要求也变得越来越复杂和精密。尼康坚持通过”伴走”活动，为客户提供量身定制的解决方案。为了满足客户日益多样化的需求，尼康决定通过开发ArF液浸式扫描光刻机NSR-S625E而扩大其光刻机产品范围。
新开发的NSR-S625E是在市场上有着10年销售史的NSR-S622D后继机。它提供相比大约1.3倍的产出量，大大改善了运行稳定性，此外还配有iAS*1，助力于各种半导体的高效生产。

尼康将继续通过不断提供适合客户需求的曝光设备，为高附加价值的半导体制造作出贡献。

※1 inline Alignment Station的缩写。 在不降低曝光系统产出的情况下，实现高速、高精度的晶圆测量和网格变形校正的系统。

主要性能

Resolution	分辨率	≦38 nm
NA	NA	1.35
Exposure light source	曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
Reduction ratio	缩小倍率	1:4
Maximum exposure field	最大曝光范围	26 mm x 33 mm
Overlay	重合精度	SMO※2:≦1.7 nm、MMO※3:≦2.5 nm
Throughput	产出	≧280 wafers/hour (96 shots)