ArF扫描式光刻机“NSR-S333F”开始接受订单

对应逻辑、存储器、图像传感器等各种器件的微细图案制造

ArF扫描式光刻机「NSR-S333F」

尼康株式会社（Nikon）将在实现业内最高水平^※１重合精度的同时，发挥高生产效率，于2025年10月开始接受ArF（氟化氩）扫描式光刻机“NSR-S333F”的订单。该产品结合了最高端机型ArF液浸式光刻机的平台与已经过验证的传统机型ArF扫描式光刻机“NSR-S322F”的光学系统，实现了生产效率提升与高精度套刻的兼顾。能够满足逻辑芯片、存储器、图像传感器等多种器件的微细图案制造需求。

^※１　 截至2025年9月25日，尼康根据已发布的ArF扫描式光刻机中进行的调查。

发售概况

商品名	ArF扫描式光刻机「NSR-S333F」
发售时间	2025年10月
上市予定	2026下半年

开发背景

随着对IoT和AI需求的不断增长，人们对半导体器件微细化和高性能化的要求也在持续提升。尤其是在逻辑、存储器、图像传感器等半导体器件的制造领域，对ArF扫描式光刻机的高生产效率和高重合精度的需求日益增强。

主要特征

１．通过改进平台，使生产效率显著提升

采用了尼康最高端机型ArF液浸式光刻机的平台，通过提升晶圆台和光罩台的运行速度，实现了每小时300片以上^※2的处理能力。

此外，进一步提升设备运行的稳定性，使生产效率相比以往“NSR-S322F”提升了约1.5倍^※3。在对重合精度要求极高的半导体制造工艺中，该设备在保持高重合精度的同时，展现了卓越的生产效率。

^※2　以300 mm晶圆、96 shots为例

^※3　根据使用条件等可能有所变动

２．实现了业界最高水平的重合精度

沿用了在以往机型ArF扫描式光刻机“NSR-S322F”中已经过验证的光学系统。通过采用ArF液浸式光刻机的平台，提高了晶圆对准测量、光罩台测量、自动对焦等性能，在ArF扫描式光刻机中实现了业界最高水平的重合精度——MMO^※4 4nm以下。

^※4　Mix and Match Overlay。同一机型之间的重合精度（例 NSR-S333F#1 to NSR-S333F#2）

主要性能

分辨率	≦ 65 nm
NA	0.92
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率	1 : 4
最大曝光范围	26 mm x 33 mm
重合精度	MMO : ≦ 4 nm
产出	≧ 300 wafers / hour (96 shots)